Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD200HFY120C8S

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge
Max. off-state voltage
1.2kV
Collector current
200A
Корпус
C8 48mm
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGD200HFY120C8S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current200A
КорпусC8 48mm
Electrical mountingFASTON connectors, screw
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current400A
TechnologyAdvanced Trench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A

Документация

Документы пока не предоставлены.