Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Термистор GD15PJY120F1S

GD15PJY120F1S
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
15 A
Корпус
F1.1
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 24 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%7 942,51 ₽

Сумма · с НДС 22%7 942,51 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 17 942,51 ₽
от 37 012,29 ₽
от 106 309,00 ₽
от 255 877,65 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяGD15PJY120F1S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyboost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current15 A
КорпусF1.1
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current30 A
ТехнологияAdvanced Trench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1

Документация

Документы пока не предоставлены.