Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD1200SGX170C3SN

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT x2
Max. off-state voltage
1.7 kV
Collector current
1.2kA
Корпус
C3 130mm
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGD1200SGX170C3SN
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT x2
Max. off-state voltage1.7 kV
Collector current1.2kA
КорпусC3 130mm
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current2.4kA
ТехнологияTrench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw

Документация

Документы пока не предоставлены.