Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Термистор GD10PJX65F1S

GD10PJX65F1S
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
650 V
Collector current
10 A
Корпус
F1.1
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 19 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%6 999,93 ₽

Сумма · с НДС 22%6 999,93 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 16 999,93 ₽
от 36 192,24 ₽
от 105 567,86 ₽
от 255 199,35 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяGD10PJX65F1S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyboost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage650 V
Collector current10 A
КорпусF1.1
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current20 A
ТехнологияTrench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A

Документация

Документы пока не предоставлены.