Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD100PIY120C6SN

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
100 A
Корпус
C6 62mm
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGD100PIY120C6SN
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyboost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current100 A
КорпусC6 62mm
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
ТехнологияAdvanced Trench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw

Документация

Документы пока не предоставлены.