STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD100PIX65C6S

Фото уточняется

Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650 V
Collector current: 100 A
Корпус: C6 62mm

Фото справочное.

Цена и заказ

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Артикул производителя	GD100PIX65C6S
Производитель	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor module	IGBT
Semiconductor structure	diode/transistor
Topology	boost chopper, IGBT three-phase bridge OE output, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage	650 V
Collector current	100 A
Корпус	C6 62mm
Electrical mounting	Press-in PCB
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	200 A
Технология	Trench FS IGBT
Mechanical mounting	screw

Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; screw

Документы пока не предоставлены.