Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор GD1000HFX170P2S

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge
Max. off-state voltage
1.7 kV
Collector current
1kA
Корпус
P2.0
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGD1000HFX170P2S
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge
Max. off-state voltage1.7 kV
Collector current1kA
КорпусP2.0
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current2kA
ТехнологияTrench FS IGBT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A

Документация

Документы пока не предоставлены.