Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GC380N60FE

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SJ-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
11 A
Power dissipation
31 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGC380N60FE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSJ-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current11 A
Power dissipation31 W
КорпусTO220 F
Gate-source voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge17nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 31W; TO220F

Документация

Документы пока не предоставлены.