Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GC20N65T

GC20N65T
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SJ-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
20A
Power dissipation
151W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGC20N65T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySJ-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current20A
Power dissipation151W
КорпусTO220
Gate-source voltage±30V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge39nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.