Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GC190N65FF

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SJ-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
19 A
Power dissipation
35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGC190N65FF
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSJ-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current19 A
Power dissipation35 W
КорпусTO220 F
Gate-source voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge36nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 35W; TO220F

Документация

Документы пока не предоставлены.