Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GC125N65FF

GC125N65FF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SJ-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
25 A
Power dissipation
42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 907 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%461,58 ₽

Сумма · с НДС 22%461,58 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1461,58 ₽
от 10415,99 ₽
от 50368,50 ₽
от 200340,01 ₽
от 500317,21 ₽
от 1000296,32 ₽
от 2000286,82 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяGC125N65FF
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSJ-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current25 A
Power dissipation42 W
КорпусTO220 F
Gate-source voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 42W; TO220F

Документация

Документы пока не предоставлены.