Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GC11N65M

GC11N65M
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SJ-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11 A
Power dissipation
78 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGC11N65M
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSJ-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current11 A
Power dissipation78 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 78W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.