Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GC11N65F

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SJ-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11 A
Power dissipation
31.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGC11N65F
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySJ-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current11 A
Power dissipation31.3 W
КорпусTO220 F
Gate-source voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge21nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 31.3W; TO220F

Документация

Документы пока не предоставлены.