Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GC085N65QF

GC085N65QF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SJ-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
40 A
Power dissipation
299 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGC085N65QF
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSJ-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current40 A
Power dissipation299 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge76nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; 299W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.