Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GC060N65QF

GC060N65QF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SJ-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
50 A
Power dissipation
388 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGC060N65QF
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSJ-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current50 A
Power dissipation388 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge128nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 50A; 388W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.