Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор GC041N65QF

GC041N65QF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SJ-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
70A
Power dissipation
500W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяGC041N65QF
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySJ-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current70A
Power dissipation500W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge160nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 70A; 500W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.