GENESIC SEMICONDUCTOR

Диод GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

Type of diode: Schottky rectifying
Корпус: DO214
Technology: SiC
Монтаж: SMD — поверхностный
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	GAP3SLT33-214
Производитель	GENESIC SEMICONDUCTOR
Type of diode	Schottky rectifying
Корпус	DO214
Technology	SiC
Монтаж	SMD — поверхностный
Max. off-state voltage	3.3kV
Load current	0.3A
Semiconductor structure	single diode
Max. forward voltage	1.15V
Max. forward impulse current	1A
Kind of package	reel, tape

Исходное описание поставщика

Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA

Документация

Документ производителя