Антава

NEXPERIA

Транзистор GAN3R2-100CBEAZ

Type of transistor
N-JFET
Технология
GaN
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
HEMT
Drain-source voltage
100 V
Drain current
60 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGAN3R2-100CBEAZ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-JFET
ТехнологияGaN
Polarisationunipolar
Kind of transistorHEMT
Drain-source voltage100 V
Drain current60 A
Pulsed drain current230 A
Power dissipation394 W
КорпусWLCSP8
Gate-source voltage-4...6 V
On-state resistance3.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W

Документация

Документ производителя