Антава

NEXPERIA

Транзистор GAN190-650FBEZ

Type of transistor
N-JFET
Технология
GaN
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
HEMT
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11.5 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяGAN190-650FBEZ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-JFET
ТехнологияGaN
Polarisationunipolar
Kind of transistorHEMT
Drain-source voltage650 V
Drain current11.5 A
Pulsed drain current20.5 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусDFN5060-5
Gate-source voltage-1.4...7 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.8nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A

Документация

Документ производителя