GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G900P15D5

DFN5x6-8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150 V
Drain current: -35 A
Рассеиваемая мощность: 198 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	G900P15D5
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-150 V
Drain current	-35 A
Рассеиваемая мощность	198 W
Корпус	DFN5x6-8
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	27nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -150V; -35A; 198W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.