Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G900N10T

G900N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
22 A
Power dissipation
55 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG900N10T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current22 A
Power dissipation55 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge26nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 22A; 55W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.