Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G86N06K

G86N06K
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
80A
Power dissipation
110W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG86N06K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current80A
Power dissipation110W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge61nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 80A; 110W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.