Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G80N03K

G80N03K
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
90A
Power dissipation
53.4W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG80N03K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current90A
Power dissipation53.4W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.