Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G800N06H

G800N06H
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
3 A
Power dissipation
1.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG800N06H
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current3 A
Power dissipation1.2 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; 1.2W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.