Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G7K2N20LLE

G7K2N20LLE
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
2A
Power dissipation
1.8W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG7K2N20LLE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current2A
Power dissipation1.8W
КорпусSOT23-6
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT23-6; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.