Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G7K2N20HE

G7K2N20HE
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
2 A
Power dissipation
1.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG7K2N20HE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current2 A
Power dissipation1.8 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.8nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT223; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.