Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G75P04M

G75P04M
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-80 A
Power dissipation
115 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG75P04M
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-80 A
Power dissipation115 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge106nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -80A; 115W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.