GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G75P04D5

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -70A
Power dissipation: 150W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G75P04D5
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40V
Drain current	-70A
Power dissipation	150W
Корпус	DFN5x6-8
Gate-source voltage	±20V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	106nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -70A; 150W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.