GOFORD SEMICONDUCTOR
Транзистор G70P02K
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- Trench
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -45 A
- Power dissipation
- 63 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | G70P02K |
|---|---|
| Производитель | GOFORD SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | Trench |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -45 A |
| Power dissipation | 63 W |
| Корпус | TO252 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 111nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -45A; 63W; TO252
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.