Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G700P06LL

G700P06LL
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-5 A
Power dissipation
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG700P06LL
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-5 A
Power dissipation3.1 W
КорпусSOT23-6
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.8nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5A; 3.1W; SOT23-6

Документация

Документы пока не предоставлены.