GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G700P06J

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -23A
Power dissipation: 50W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G700P06J
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60V
Drain current	-23A
Power dissipation	50W
Корпус	TO251
Gate-source voltage	±20V
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	23nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -23A; 50W; TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.