Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G700P06H

G700P06H
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-5A
Power dissipation
3.1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG700P06H
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-5A
Power dissipation3.1W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.8nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5A; 3.1W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.