GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G6N90F

TO220 FИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: Planar
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900 V
Drain current: 6 A
Power dissipation: 69 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	G6N90F
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	Planar
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	900 V
Drain current	6 A
Power dissipation	69 W
Корпус	TO220 F
Gate-source voltage	±30 V
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	25nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 900V; 6A; 69W; TO220F

Документация

Документы пока не предоставлены.