Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G6N02L

G6N02L
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
6 A
Power dissipation
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG6N02L
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current6 A
Power dissipation1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 6A; 1W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.