GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G66

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16 V
Drain current: -5.8 A
Power dissipation: 1.7 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G66
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-16 V
Drain current	-5.8 A
Power dissipation	1.7 W
Корпус	DFN2x2-6
Gate-source voltage	±12 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	7.8nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -16V; -5.8A; 1.7W; DFN2x2-6

Документация

Документы пока не предоставлены.