Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G65P06T

G65P06T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-65A
Power dissipation
130W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG65P06T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-65A
Power dissipation130W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge75nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -65A; 130W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.