Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G65P06K

G65P06K
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-65 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG65P06K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-65 A
Power dissipation125 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge75nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -65A; 125W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.