GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G65P06F

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -65 A
Power dissipation: 45 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G65P06F
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-65 A
Power dissipation	45 W
Корпус	TO220 F
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	105nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -65A; 45W; TO220F

Документация

Документы пока не предоставлены.