Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G60N10T

G60N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
60 A
Power dissipation
132 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG60N10T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current60 A
Power dissipation132 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 60A; 132W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.