Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G60N04D52

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
60A
Power dissipation
65W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG60N04D52
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current60A
Power dissipation65W
КорпусDFN5x6-8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 60A; 65W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.