Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G58N06F

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
35 A
Power dissipation
44 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG58N06F
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current35 A
Power dissipation44 W
КорпусTO220 F
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge75nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 35A; 44W; TO220F

Документация

Документы пока не предоставлены.