Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G50N03K

G50N03K
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
65 A
Power dissipation
48 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG50N03K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current65 A
Power dissipation48 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16.6nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 65A; 48W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.