Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G50N03D5

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
50A
Power dissipation
25.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG50N03D5
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current50A
Power dissipation25.5W
КорпусDFN5x6-8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38.4nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 50A; 25.5W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.