Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G500P03IE

G500P03IE
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-4.6 A
Power dissipation
1.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG500P03IE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-4.6 A
Power dissipation1.4 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.6A; 1.4W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.