Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G4953S

G4953S
Type of transistor
P-MOSFET x2
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-5 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 923 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%180,55 ₽

Сумма · с НДС 22%180,55 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1180,55 ₽
от 1092,15 ₽
от 2570,15 ₽
от 10047,39 ₽
от 50041,56 ₽
от 100037,61 ₽
от 400032,54 ₽
от 800030,47 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяG4953S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET x2
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-5 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -5A; 1.6W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.