Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G4616

G4616
Type of transistor
N/P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40/-40V
Drain current
8/-7A
Power dissipation
2/2.8W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG4616
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40/-40V
Drain current8/-7A
Power dissipation2/2.8W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12/13nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 40/-40V; 8/-7A; 2/2.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.