Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G45P40T

G45P40T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-45 A
Power dissipation
80 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG45P40T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-45 A
Power dissipation80 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge42nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -45A; 80W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.