Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G45P02D3

Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-45 A
Power dissipation
29 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG45P02D3
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-45 A
Power dissipation29 W
КорпусDFN3x3-8
Gate-source voltage±12 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -45A; 29W; DFN3x3-8

Документация

Документы пока не предоставлены.