GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G40P03D5

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -35 A
Power dissipation: 48 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G40P03D5
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-35 A
Power dissipation	48 W
Корпус	DFN5x6-8
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	50nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -35A; 48W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.