Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G400P06S

G400P06S
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-6 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG400P06S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-6 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -6A; 2.5W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.